1. اختصار
(Random Access Memory) تسمى
هذه الذاكرة بذاكرة الوصول العشوائي لأنك تستطيع الوصول الى أي خلية ذاكرة مباشرة إن كنت تعرف الصف و العامود المتقاطعان عند هذه الخلية.
2. إن رقاقة الذاكرة هي عبارة عن
دائرة متكاملة مكونة من ملايين TRANSISTORS و المكثفات، وكلاهما يكونان معا خلية الذاكرة.
3. المكثف يحتفظ بقيمة البت من
المعلومات و يكون المحتوى إما صفر أو واحد، أما transistor فيعمل كمفتاح للتحكم فإما يقرأ حالة المكثف أو يقوم بتغييرها.
4.
المكثف يعمل كحافظة للإلكترونات .
5. من
أنواعها: DRAM(Dynamic random access memory) تحتوي على خلايا ذاكرة تتكون من زوج من transistors و المكثفات.
6. SRAM(Static
random access memory) تستخدم من أربع إلى ست transistors لكل خلية ذاكرة و لا تحتوي على مكثف و لا
تحتاج إلى إنعاش مستمر و
تستخدم بشكل أساسي لذاكرة cache.
7. FPM DRAM: يبحث
بداية عن موقع البت المطلوب من الذاكرة و عندما يحدد موقعه
يقوم بقراءة محتوى هذا البت ، و لا يبدأ بالبت التالي إلا بعد الانتهاء من قراءة البت الأول.
8. EDO DRAM: هذا النوع يباشر بالبحث عن البت التالي بعد
تحديد موقع البت الأول و قبل الشروع بقراءته،وهذا
النوع أسرع من النوع الأول.
9. Flash RAM: و هو
مقدار ضئيل من الذاكرة مخصص لحفظ إعدادات التلفاز و الفيديو أو إعدادات القرص الصلب في أجهزة الحاسوب.
PCMCIA Memory Card وهذا نوع آخر مخصص للأجهزة المحمولة
notebook و
هو أيضا من نوع DRAM.
ليست هناك تعليقات: